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摘要:
目前对TGS晶体进行改性研究是克服其自身弱点的途径,而生长均匀、无缺陷的TGS单晶是该研究工作的基础.利用水溶法生长了纯TGS单晶体,系统地论述了晶体生长的装置和工艺过程.分析了晶体生长过程中出现各种缺陷的原因.测定了晶体的热释电性能的主要参数.结果表明此方法生长的晶体达到工业应用的技术要求.从而指出生长均匀、无缺陷TGS单晶体工艺过程中的各个影响因素和应注意的事项,为该晶体改性工作的继续开展提供了技术支持.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 TGS热释电晶体生长工艺研究
来源期刊 昆明理工大学学报(理工版) 学科 工学
关键词 TGS 晶体生长 热释电
年,卷(期) 2004,(6) 所属期刊栏目 材料与冶金
研究方向 页码范围 27-30
页数 4页 分类号 TQ17
字数 3157字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-855X.2004.06.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈敬超 昆明理工大学云南省新材料加工与制备重点实验室 178 1833 21.0 34.0
2 周晓龙 昆明理工大学云南省新材料加工与制备重点实验室 116 993 17.0 27.0
3 于杰 昆明理工大学云南省新材料加工与制备重点实验室 68 352 12.0 16.0
4 陈春荣 长春光学精密机械学院光学材料系 2 7 2.0 2.0
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研究主题发展历程
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TGS
晶体生长
热释电
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研究来源
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研究去脉
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期刊影响力
昆明理工大学学报(自然科学版)
双月刊
1007-855/X
53-1123/T
大16开
云南省昆明市呈贡区景明南路727号
64-79
1959
chi
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