高密度碳纳米管阵列制备研究

• 作者: 刘华平 彭宜斌 梁昌林 程国安 赵勇 郑瑞廷
• 来源期刊: 中国有色金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 列阵 生长机制 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2004,（z2）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与技术
• 页码范围: 201-205
• 页数: 5页
• 分类号: TF8
• 字数: 3727字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0609.2004.z2.047

摘要

采用热化学气相沉积技术在单晶硅基底上制备了定向生长的碳纳米管,系统研究了定向生长碳纳米管阵列的制备工艺.综合调整催化剂的厚度、氨刻蚀温度和刻蚀时间,可以获得高颗粒密度分布的催化剂薄膜.厚度为10 nm左右的催化剂铁膜结构于750℃氨刻蚀后可以在单晶硅表面得到分布密度较高的铁颗粒膜.利用这种催化剂薄膜,以乙炔和氢气分别作为碳源和载气,流量体积比为150/400mL/min时,可以获得管型准直、排列紧密的碳纳米管阵列.最后对碳纳米管的生长随时间变化的规律进行了研究.