单晶YSZ的Xe+辐照损伤的电子显微分析

• 作者: 向霞 吴继红 朱莎 王鲁闵 祖小涛
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶YSZ Xe+辐照 透射电子显微镜 辐照缺陷
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 粒子束及加速器技术
• 页码范围: 95-97
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174.4|O433.4
• 字数: 2012字
• 语种: 中文

摘要

不同注量200keV Xe+ 注入YSZ单晶样品的电子显微分析结果表明,随着辐照注量的增加,缺陷簇的密度增大,在1×1015～1×1016 cm-2 Xe+注量,缺陷簇密度迅速增大,形成间隙型位错环;当Xe+注量增大到1×1017cm-2,缺陷簇密度的增加变得缓慢,并且有直径为2～4nm的Xe气泡析出.选区电子衍射花样表明YSZ样品没有产生非晶化转变.在Xe+辐照的离位率高达约350dpa的情况下,YSZ晶体没有非晶化,其原因主要是由于注入的Xe+以气泡形式析出.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祖小涛	电子科技大学应用物理系	111	627	12.0	17.0
2	吴继红	电子科技大学应用物理系	23	277	9.0	16.0
3	向霞	电子科技大学应用物理系	27	116	6.0	9.0