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摘要:
利用电子顺磁共振(EPR)谱和透射电子显微镜(TEM)研究了YSZ单晶的辐照效应.200keV的Xe和400keV的Cs离子注入[111]取向的YSZ单晶中,注量均为5×1016cm-2.EPR结果表明辐照产生了共振吸收位置g‖=1.989 和g⊥=1.869、对称轴为[111]的六配位Zr3+顺磁缺陷.Cs辐照产生了比Xe离子辐照多约150倍的六配位Zr3+顺磁缺陷.两种样品的剖面电子显微分析表明没有发现非晶化转变,但是Cs离子辐照的样品在损伤集中区域产生了密度较高的缺陷.因此,EPR谱和电子显微观察均说明在相同离位损伤(约160dpa)的情况下,Cs离子辐照比Xe离子辐照产生了更多的缺陷.造成这一现象的原因是Cs离子是化学活性的而Xe离子却是惰性的.
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文献信息
篇名 采用EPR谱和TEM对YSZ单晶辐照损伤的研究
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 YSZ单晶 离子辐照 辐照缺陷 电子顺磁共振谱 透射电子显微镜
年,卷(期) 2005,(12) 所属期刊栏目 粒子束及加速器技术
研究方向 页码范围 1909-1912
页数 4页 分类号 TQ174.4|O433.4
字数 1762字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 祖小涛 电子科技大学应用物理系 111 627 12.0 17.0
2 封向东 四川大学物理系 17 74 6.0 8.0
3 雷雨 电子科技大学应用物理系 9 52 3.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
YSZ单晶
离子辐照
辐照缺陷
电子顺磁共振谱
透射电子显微镜
研究起点
研究来源
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强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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