ULSI中Cu互连线的显微结构及可靠性

• 作者: 刘丹敏 卢振军 吉元 夏洋 李志国 王晓冬 肖卫强
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu互连线 晶体学取向 晶粒尺寸 电徙动
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1302-1304
• 页数: 3页
• 分类号: TN454
• 字数: 1422字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2004.08.017

摘要

观察了ULSI中大马士革结构的Cu互连线的晶粒生长和晶体学取向.分析了线宽及退火对Cu互连线显微结构及电徙动的影响.Cu互连线的晶粒尺寸随着线宽的变窄而减小.与平坦Cu膜相比,Cu互连线形成微小的晶粒和较弱的 (111) 织构.300℃、30min退火促使Cu互连线的晶粒长大、(111) 织构发展,从而提高了Cu互连线抗电徙动的能力.结果表明,Cu的扩散涉及晶界扩散与界面扩散,而对于较窄线宽的Cu互连线,界面扩散成为Cu互连线电徙动失效的主要扩散途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志国	北京工业大学电子信息与控制工程学院	57	418	12.0	18.0
2	吉元	北京工业大学材料科学工程学院	42	159	7.0	9.0
3	刘丹敏	北京工业大学材料科学工程学院	50	272	8.0	14.0
4	夏洋	中国科学院微电子中心	67	325	9.0	14.0
5	肖卫强	北京工业大学材料科学工程学院	47	227	7.0	12.0
6	王晓冬	北京工业大学材料科学工程学院	3	6	2.0	2.0
7	卢振军	北京工业大学电子信息与控制工程学院	1	2	1.0	1.0