Nd:Gd3Ga5O12多晶原料合成及单晶生长研究

• 作者: 万玉春 关效贤 刘景和 孙晶 张亮 曾繁明 李建利
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺钕钆镓石榴石晶体 原料挥发 激光晶体 提拉法 晶体生长
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 585-589
• 页数: 5页
• 分类号: O782.6
• 字数: 3122字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2004.05.010

摘要

通过对晶体生长时和生长后原料挥发物的XRD分析,发现在炉膛内壁上的挥发物质是Ga2O3和Ga2O的混合物,而观察窗口及后加热器内壁上的挥发物主要是Gd2O3.为避免原料中Ga2O3的挥发,按化学计量比配料,在1 300℃下,采用固相反应法合成了Nd:Gd3Ga5O12(Nd:GGG)多晶原料.用此多晶原料,采用提拉法进行了Nd:GGG单晶生长研究,所获单晶的荧光发射峰位于1061.54nm.对晶体表面的开裂现象进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘景和	长春理工大学材料与化工学院	134	714	13.0	18.0
2	孙晶	长春理工大学材料与化工学院	93	444	11.0	15.0
3	曾繁明	长春理工大学材料与化工学院	66	240	9.0	12.0
4	万玉春	长春理工大学材料与化工学院	48	249	10.0	13.0
5	张亮	长春理工大学材料与化工学院	19	117	6.0	10.0
6	李建利	长春理工大学材料与化工学院	21	131	7.0	10.0
7	关效贤	长春理工大学材料与化工学院	10	105	6.0	10.0