非掺半绝缘LEC-GaAs晶片热处理工艺研究

• 作者: 周春锋 赖占平 高瑞良 齐德格
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体物理学 砷沉淀 AB微缺陷 半绝缘砷化镓单晶片
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 476-479
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2713字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.007

摘要

为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片,有必要降低微缺陷密度.开展了晶片热处理工艺的研究,确定了晶片热处理的温度、时间、降温速率等一系列工艺参数,证实了采用此项工艺能降低LEC-GaAs晶片的砷沉淀密度,即AB-EPD,同时也保证了晶片的电学参数不受影响.通过对晶片热处理工艺过程和结果进行分析,给出了晶片热处理工艺理论模型的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周春锋	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	25	3.0	5.0
2	赖占平	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	34	4.0	5.0
3	高瑞良	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	5	1.0	1.0
4	齐德格	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	5	1.0	1.0