半导体THz辐射的Monte Carlo模拟

• 作者: 刘东峰 秦家银
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 蒙特卡罗方法 THz辐射 C++ UML GaAs
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1314-1317
• 页数: 4页
• 分类号: TN201
• 字数: 3869字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2004.08.020

摘要

本文介绍了作者开发的基于面向对象语言C++和统一建模语言UML的半导体输运及THz辐射的蒙特卡罗模拟软件,并用该软件模拟了在强超短脉冲激光(光生载流子密度1019cm-3)及强电场 (100kV/cm) 作用下GaAs的THz时域波形和相应的半导体表面局域场.通过分析THz时域波形,我们发现强外加电场下的载流子速度过冲、载流子屏蔽(或器件反应过冲)是形成THz时域波形双极结构的原因.功率谱的分析表明增加外加电场有益于提高THz的低频成份的辐射,但对高频部分(＞6THz)影响不大.