窄禁带半导体n-InAs THz辐射机理的Monte Carlo研究

• 作者: 刘东峰
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: n-InAs n-GaAs THz辐射 Monte Carlo模拟
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1458-1461
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 3500字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2007.08.007

摘要

本文采用系综Monte Carlo方法模拟了窄禁带n-InAs和宽禁带n-GaAs的THz时域波形,从理论上证实了n-InAs的THz辐射机制是光丹培场的作用.通过定量给出表面电场和光丹培场在半导体中的空间分布,我们发现导致n-InAs的THz辐射效率比n-GaAs高的一个重要原因是:在被大多数光生载流子占居的非耗尽层区域,n-InAs的电场比n-GaAs的大得多.而以前的研究工作都没有认识到这一点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘东峰	广东工业大学信息工程学院电子信息系	19	54	4.0	6.0