六元磁光材料芯片的制备与检测

• 作者: 冯兰 张桂林 李晶 王松有 蔡英文 陈良尧 顾明
• 来源期刊: 上海交通大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 二分掩膜 磁光芯片 克尔效应
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 一般工业技术
• 页码范围: 291-294
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 字数: 2801字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-2467.2004.02.035

摘要

推广和发展了一种二分掩膜方法,采用这种方法,使得通过n次实验可以既不重复也不遗漏地得到所用n种元素的所有可能组合,即2n个全不相同的芯片单元,并论证了其惟一性.对于离子束溅射沉积的CoAg薄膜,采用组合离子注入技术制备了由Fe、Mn、Ga、Cu 4种元素所组成的磁光芯片.在1T的恒定磁场条件下,系统地测试了芯片各单元在不同退火条件下的磁光克尔谱.结果表明,采用薄膜与组合离子注入相结合的方法,可以快速、有效、低成本地发现新型磁光存储颗粒膜材料候选体系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈良尧	复旦大学光科学与工程系	53	230	8.0	13.0
2	李晶	复旦大学光科学与工程系	40	109	7.0	9.0
3	张桂林	中国科学院上海原子核研究所	50	549	13.0	21.0
4	顾明	上海交通大学材料科学与工程学院	4	4	1.0	1.0
5	王松有	复旦大学光科学与工程系	26	104	5.0	9.0
6	蔡英文	上海交通大学材料科学与工程学院	14	112	3.0	10.0
7	冯兰	上海交通大学材料科学与工程学院	3	67	2.0	3.0