Pr离子缺陷对Bi-2223/Ag带材磁通涡旋运动的影响

• 作者: 曹中胜 蒲明华 赵勇 郑伟范
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Pr离子缺陷 磁通涡旋运动 Bi-2223/Ag带材
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 839-843
• 页数: 5页
• 分类号: O51
• 字数: 1685字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.086

摘要

Pr部分替代Ca可以在Bi-2223的超导层中引起局域缺陷(简称Pr离子缺陷),本文分析了不同含Pr量的Bi-2223/Ag带材在垂直于带面的外场下电阻转变特性,研究了其磁通钉扎势垒的变化规律.结果表明:Pr离子缺陷显著提高了Bi-2223带材的磁通钉扎势垒(U).不同含Pr量样品的磁通钉扎势垒(U)均满足U/(1-T irr/Tc0)(1/Hα的规律,其不同α值反映了样品中不同的磁通蠕动方式.在不含Pr离子缺陷的样品中,磁通主要以双弯结的方式进行蠕动, 含Pr离子缺陷的样品中磁通蠕动主要以直接剪切的方式进行.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵勇	材料先进技术教育部重点实验室西南交通大学超导研究开发中心	4	6	2.0	2.0
2	蒲明华	材料先进技术教育部重点实验室西南交通大学超导研究开发中心	2	4	1.0	2.0
3	曹中胜	材料先进技术教育部重点实验室西南交通大学超导研究开发中心	1	1	1.0	1.0
4	郑伟范	材料先进技术教育部重点实验室西南交通大学超导研究开发中心	2	4	1.0	2.0