强流磁约束金属离子注入源

• 作者: 关秉羽 李国卿 牟宗信 龙振湖
• 来源期刊: 核聚变与等离子体物理
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体 离子束 离子源
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 74-77
• 页数: 4页
• 分类号: TL62+9.1|O523+.26
• 字数: 2073字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-6086.2005.01.013

摘要

设计和制造了适合工业应用的强流金属离子源.离子源的电弧阴、阳电极之间和放电室壁采用永磁体阵列形成导流、屏蔽磁场,改进了电弧的放电特性和提高等离子体密度.离子注入源在加速电压为30kV、50 Hz条件时,平均束流流强约为30mA,调试结果表明附加磁场提高了离子源性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李国卿	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	58	411	12.0	16.0
2	牟宗信	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	38	217	10.0	12.0
3	关秉羽		2	9	2.0	2.0
4	龙振湖	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	4	31	3.0	4.0