延迟击穿半导体开关二极管最佳参数确定

• 作者: 余稳 孙晓玮 张义门 张飞 谭述奇
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 开关二极管 延迟击穿 脉冲锐化 脉冲功率器件
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 高功率微波
• 页码范围: 1043-1046
• 页数: 4页
• 分类号: TN313.6|TN602
• 字数: 2727字
• 语种: 中文

摘要

分析了延迟击穿二极管(DBD,delayed breakdown diode)的物理机理.从该器件在负载上的输出脉冲幅度及上升时间两方面综合考虑,通过改变器件结构参数和物理参数(长度、面积、掺杂浓度、激励源等),模拟研究了不同激励源及不同负载情况下DBD特性的变化情况.结果表明: 上升时间对于面积和负载电阻均存在极小值,设计时面积和负载电阻应该选取该极值点对应的最佳值.n区长度存在最佳值,理论上应为器件加载在所需临界击穿电压值而且刚好处于穿通状态时的长度值;p+区和n+区的长度没有太大的影响,但应稍大于各自的穿通长度,浓度则尽量高;n区掺杂浓度越低越好,对激励源要求电流稍高于临界条件即可.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	孙晓玮	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	97	828	16.0	23.0
3	张飞	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	49	550	11.0	23.0
7	余稳	西安电子科技大学微电子研究所	6	40	3.0	6.0
11	谭述奇		1	3	1.0	1.0