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摘要:
在N型AlxGa1-xN(x=0.19~0.25)薄膜表面热蒸发Au金属薄膜,经过退火后制成MSM结构的光电器件.测试其I-V曲线,从金属-半导体MSM结构肖特基二极管的理论模型推导了这种新型紫外器件的理想伏安特性,并将实验结果与理论模型相拟合,为制造导弹来袭紫外告警探测器提供研究依据.
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雪崩光电二极管(APD)
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Au-AlxGa1-xN MSM结构紫外光电二极管伏安特性研究
来源期刊 航空兵器 学科 工学
关键词 AlGaN 紫外探测器 MSM 伏安特性
年,卷(期) 2005,(5) 所属期刊栏目 红外与激光技术
研究方向 页码范围 27-29
页数 3页 分类号 TN36
字数 1949字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1673-5048.2005.05.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 鲁正雄 19 80 5.0 7.0
2 赵鸿燕 25 147 7.0 11.0
3 成彩晶 12 22 3.0 3.0
4 赵岚 8 21 3.0 4.0
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2013(1)
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研究主题发展历程
节点文献
AlGaN
紫外探测器
MSM
伏安特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
航空兵器
双月刊
1673-5048
41-1228/TJ
大16开
河南省洛阳市030信箱3分箱
1964
chi
出版文献量(篇)
2141
总下载数(次)
10
总被引数(次)
8123
论文1v1指导