加热处理对十二烷基取代聚噻吩导电性能及结构的影响

• 作者: 庞晓露 王金伟
• 来源期刊: 合成材料老化与应用
• 学科: 工学
• 关键词: 十二烷基取代聚噻吩 掺杂和去掺杂 表面电阻率 降解
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 试验与研究
• 页码范围: 8-10,56
• 页数: 4页
• 分类号: TQ03
• 字数: 1968字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-5381.2005.02.003

摘要

以化学氧化法制备聚合物然后用碘进行掺杂处理使其导电,用表面电阻率、热失重分析、X射线光电子能谱研究了十二烷基取代聚噻吩在经反复加热和掺杂处理后的性能和结构变化.表面电阻率受温度的影响较大,在温度达到200℃以上时,该聚合物部分或全部丧失导电性.从X-射线光电子能谱可明显观察到空气中氧气参与了加热和掺杂过程并发生的物理化学反应.十二烷基取代聚噻吩掺杂后的热去掺杂过程在较低温度下(低于200℃)其导电性能可以恢复,但在高温下却不可恢复;而其结构经每一次热处理的破坏是不可逆转的,每一次加热处理都加速其老化降解.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王金伟	北京科技大学材料科学与工程学院	13	105	6.0	10.0
2	庞晓露	北京科技大学材料科学与工程学院	27	38	3.0	4.0