硅纳米线用于纳米器件前的准备工序

• 作者: 唐元洪 裴立宅 陈扬文
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 硅纳米线 缺陷处理 分散处理 表面金属离子处理
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 470-474
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 4577字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.03.003

摘要

硅纳米线是一种新型半导体光电材料,具有量子限制效应并且能与目前的硅芯片相兼容,是一种很有前途的适用于纳米器件的材料,未经处理的硅纳米线存在大量的晶体缺陷以及表面氧化物保护层,直接将这样的硅纳米线应用于纳米器件中时,表面氧化层的保护作用使硅纳米线在电子器件中应用时不能有效地实现欧姆接触,因此对硅纳米线使用前的前期处理是非常必要的.本文主要针对硅纳米线应用于电子器件的准备工序包括为制备完整硅纳米线晶体结构而进行的减少缺陷处理、避免硅纳米线团聚而进行的分散处理,以及使硅纳米线具有有效欧姆接触而进行的表面金属离子处理等作系统的阐述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐元洪	湖南大学材料科学与工程学院	67	498	13.0	19.0
2	裴立宅	湖南大学材料科学与工程学院	37	510	14.0	21.0
3	陈扬文	湖南大学材料科学与工程学院	16	217	9.0	14.0