离轴照明对ArF浸没式光刻的影响

• 作者: 张飞 李艳秋 黄国胜
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 离轴照明 ArF浸没式光刻 仿真 PROLITH
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 光子束技术
• 页码范围: 43-47,57
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2650字
• 语种: 中文

摘要

研究了离轴照明对65 nm分辨率ArF浸没式光刻的影响.在3/4环形照明和3/4四极照明方式下,研究65 nm线宽的密集线条、半密集线条、孤立线条在较大曝光系统参数范围内的光刻性能,并对不同照明方式的光刻性能进行了比较.结果表明,在可用焦深(depth of focus,DOF)范围内,满足光刻性能要求可以有较大范围的曝光系统参数配置.离轴照明的焦深比传统照明提高100%～150%,采用四极照明对孤立线条进行曝光,可以获得更好的光刻性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李艳秋	中国科学院电工研究所	35	388	12.0	18.0
2	张飞	中国科学院电工研究所	49	550	11.0	23.0
6	黄国胜	中国科学院电工研究所	6	31	4.0	5.0