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摘要:
从理论上对光电阴极面发射电子过渡过程进行分析,光电阴极面电阻是影响光电发射过渡过程的主要因素.通过对光电阴极制备技术的改进,使二代近帖聚焦像增强器的管子时间响应小于2ns.
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文献信息
篇名 二代近帖聚焦像增强器纳秒响应技术
来源期刊 真空电子技术 学科 工学
关键词 近帖聚焦像增强器 光电阴极 纳秒响应
年,卷(期) 2005,(1) 所属期刊栏目 研究与设计
研究方向 页码范围 22-23
页数 2页 分类号 TN223
字数 1947字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-8935.2005.01.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐江涛 西安应用光学研究所二室 21 106 6.0 9.0
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2005(0)
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研究主题发展历程
节点文献
近帖聚焦像增强器
光电阴极
纳秒响应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空电子技术
双月刊
1002-8935
11-2485/TN
大16开
北京749信箱7分箱
1959
chi
出版文献量(篇)
2372
总下载数(次)
7
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8712
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