超低压CMOS混频器比较设计及特性分析

• 作者: 朱樟明 杨银堂 魏莹辉
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 超低压 准浮栅 衬底驱动 混频器 转换增益 频域特性
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 114-117,121
• 页数: 5页
• 分类号: TN402|TN773
• 字数: 2053字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.01.028

摘要

讨论并设计了基于PMOS衬底驱动技术和CMOS准浮栅技术的两种超低压CMOS混频器电路,并对混频器的特性进行了比较分析.在电源电压为0.8 V,本征频率和射频频率分别是20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz的输入正弦信号时,衬底驱动混频器的转换增益为-17.95 dB和-8.5 dB,三阶输入截止点的值为33.2 dB和28.4 dB;在0.6 V的单电源电压下,输入正弦信号分别为频率为20 MHz、100 MHz和1 GHz、2.4 GHz时,准浮栅混频器的转换增益为-14.23 dB和-21.8 dB,三阶输入截止点的值为35.9 dB和34.6 dB.仿真结果比较显示,衬底驱动混频器具有更高的转换增益,而准浮栅混频器具有更好的频域特性和低压特性.而且它们在频率较低时的性能更好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	朱樟明	西安电子科技大学微电子研究所	164	1318	18.0	26.0
3	魏莹辉	西安电子科技大学微电子研究所	1	2	1.0	1.0