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一种低电压、低噪声、高增益CMOS折叠式混频器
一种低电压、低噪声、高增益CMOS折叠式混频器
作者:
刘慧敏
吕英杰
张小兴
戴宇杰
韦保林
原文服务方:
微电子学与计算机
折叠武混频器
低电压
低噪声
IEEE802.154
摘要:
针对IEEE802.154协议设计了一种工作于2.44GHz的900mV低电压、低噪声、高增益CMOS折叠式混频器,并在混频器的开关级共源节点引入LC回路吸收寄生电容,进一步提高了混频器的主要性能.在chartered0.18tanCMOS工艺下采用SpectreRF进行仿真,仿真结果表明:该混频器的转换增益高达18.6dB,单边带噪声系数(SSB NF)仅为7.15dB,输入/输出三阶截断点(IIP3/OIP3)为-8.77/9.88dBm,功耗为52mW.
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CMOS工艺
低噪声放大器
LC谐振
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内容分析
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篇名
一种低电压、低噪声、高增益CMOS折叠式混频器
来源期刊
微电子学与计算机
学科
关键词
折叠武混频器
低电压
低噪声
IEEE802.154
年,卷(期)
2009,(5)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
29-32
页数
4页
分类号
TN4
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
戴宇杰
南开大学微电子研究所
39
115
6.0
10.0
2
张小兴
南开大学微电子研究所
35
93
6.0
9.0
3
吕英杰
南开大学微电子研究所
38
92
6.0
8.0
4
韦保林
南开大学微电子研究所
47
97
4.0
7.0
8
刘慧敏
南开大学微电子研究所
2
5
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研究主题发展历程
节点文献
折叠武混频器
低电压
低噪声
IEEE802.154
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
主办单位:
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7180
CN:
61-1123/TN
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1972-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
总被引数(次)
59060
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