一种低噪声高增益 CMOS混频器设计

• 作者: 庞建丽 高丽娜
• 来源期刊: 信阳师范学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 混频器 电流注入 噪声抵消 高增益 低噪声
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 应用技术研究
• 页码范围: 413-416
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1641字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0972.2014.03.027

摘要

基于TSMC 0．18μm CMOS工艺，设计了一种低噪声、高增益的混频器．通过在吉尔伯特单元中的跨导级处引入噪声抵消技术以降低混频器的噪声，并且在开关管的源级增加电流注入电路以减小本振端的偏置电流，增大电路的增益．仿真结果表明，混频器工作电压为1．8 V，直流电流为9．9 mA，在本振（ LO）频率为2．39 GHz，射频（RF）频率为2．4 GHz时，混频器的增益为12．65 dB，双边带噪声系数为4．23 dB，输入三阶交调点为-3．45 dBm．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高丽娜	黄淮学院国际学院	16	55	4.0	7.0
2	庞建丽	黄淮学院信息工程学院	21	65	4.0	7.0