一种高增益低噪声CMOS混频器设计

• 作者: 傅开红 朱雪芳 李进 程知群 高俊君
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 高增益 低噪声 混频器 电流注入
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态电子器件
• 页码范围: 737-741
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 2495字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.04.004

摘要

设计了一种基于跨导互补结构的电流注入混频器,通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极增加PMOS管形成电流注入电路减小本振端的偏置电流,改善电路的闪烁噪声和增大电路的增益.采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计.在本振(LO)信号的频率为1.571 GHz,射频(RF)信号频率为1.575 GHz时,混频器的增益为17.5 dB,噪声系数(NF)为8.35 dB,三阶交调截止点输入功率(IIP3)为-4.6 dBm.混频器工作电压1.8 V.直流电流为8.8 mA,版图总面积为0.63 mm × 0.78 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程知群	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	54	172	6.0	10.0
2	朱雪芳	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	6	22	3.0	4.0
3	高俊君	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	6	22	3.0	4.0
4	傅开红	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	5	14	2.0	3.0
5	李进	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	8	25	3.0	4.0