ZEP520正性电子抗蚀剂的工艺研究

• 作者: 刘明 李志刚 赵新为 陈宝钦 龙世兵
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: ZEP520抗蚀剂 电子束直写曝光 凹槽图形 分辨率 裂纹
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 电子束技术
• 页码范围: 6-11,16
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2853字
• 语种: 中文

摘要

详细研究了ZEP520在Si衬底上的对比度、灵敏度、分辨率,并分析了曝光剂量、抗蚀剂厚度对ZEP520线条和圆孔尺寸的影响;同时还初步研究了ZEP520在GaAs衬底上的曝光工艺.实验结果表明,ZEP520的灵敏度远高于PMMA,在Si和GaAs上用ZEP520能分别制作出100nm和130 nm宽的细线条,通过预烘GaAs衬底,可以消除ZEP520中的裂纹,因此用ZEP520制作器件或电路中各种细小凹槽图形是十分有利的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	207	1983	20.0	38.0
2	陈宝钦	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	50	361	11.0	16.0
3	李志刚	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	103	1906	24.0	41.0
4	龙世兵	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	14	45	6.0	6.0
5	赵新为	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室	1	7	1.0	1.0