基于三层模型的多孔硅发光谱双峰结构的研究

• 作者: 何英旋 崔昊杨 彭景翠 易丹青 李宏建 黄伯云
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 三层模型 双峰结构
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 498-504
• 页数: 7页
• 分类号: O482.31
• 字数: 4364字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2005.03.021

摘要

基于Litovchenko提出的多孔硅三层模型和在此基础上由Li等人提出的多孔硅三层发光模型,利用半导体异质结理论导出了多孔硅芯部与夹层中载流子浓度、非平衡载流子数目、扩散电流密度、夹层与芯部发光强度的比值等关系式.结果表明:当Egint＞Egcore时,在0.2 eV＜ΔEv+ΔEc＜0.26 eV范围内发光谱将出现双峰,并在ΔEv+ΔEc＞0区域发光峰位不断向高能移动,发生蓝移现象;当Egint＜Egcore时,尽管芯部由于量子限制效应仍将导致发光峰蓝移,但芯部的发光相对夹层的发光相当弱,这时多孔硅发光谱呈现单峰.此模型定量地解释了多孔硅发光峰的蓝移起源于多孔硅量子限制效应,而发光出现发光双峰和发光峰位钉扎是由夹层物质决定,说明了多孔硅的发光存在多种发光机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	易丹青	中南大学材料科学与工程学院	276	3068	28.0	37.0
2	黄伯云	中南大学材料科学与工程学院	607	8891	43.0	60.0
3	李宏建	中南大学物理科学与技术学院	66	440	12.0	18.0
5	彭景翠	湖南大学应用物理系	110	891	16.0	26.0
8	何英旋	湖南大学应用物理系	14	31	4.0	5.0
9	崔昊杨	湖南大学应用物理系	6	27	3.0	5.0