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Shift Phenomenon of Peak-channel of 214Am Source by Si（Au Semiconductor Detector Made in IMP
Shift Phenomenon of Peak-channel of 214Am Source by Si（Au Semiconductor Detector Made in IMP
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摘要：
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Si-Ca合金对AM60镁合金凝固过程及显微组织的影响
AM60镁合金Si-Ca合金
显微组织
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超声处理
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金
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薄膜
脉冲激光沉积
内容分析
关键词云
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文献信息
| 篇名 | Shift Phenomenon of Peak-channel of 214Am Source by Si（Au Semiconductor Detector Made in IMP | ||
| 来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 | 学科 | 化学 |
| 关键词 | 半导体探测器 通道 移位现象 进出口 制造 Si 四氢大麻酚 金 | ||
| 年，卷（期） | 2005,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 117 | |
| 页数 | 1页 | 分类号 | O614.123 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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研究主题发展历程
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半导体探测器
通道
移位现象
进出口
制造
Si
四氢大麻酚
金
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期刊影响力
近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版
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出版周期：
年刊
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兰州31号信箱中国科学院近代物理研究所出版发行社社址:北京市海淀区阜成路43号(100037)
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1640
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