GaInP2/GaAs/Ge级联电池隧道结的结构设计及金属有机化学汽相淀积生长研究

• 作者: 李晓婷 王晋国 魏俊波
• 来源期刊: 陕西师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 隧道结 掺杂
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 专题研究
• 页码范围: 37-39,43
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 2187字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1672-4291.2005.02.010

摘要

采用国产的低压金属有机化学汽相淀积(LP-Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 简写为LP-MOCVD)设备,生长了GaInP2/GaAs/Ge双结级联电池隧道结,分析了隧道结结构的设计原理.利用霍耳测试仪、X射线双晶衍射仪、二次离子质谱仪,对隧道结的重掺杂和互扩散特性进行了研究.结果表明,在生长温度为600℃,H2Se流量为3 mL/min及隧道结N型层掺杂剂选用Se的条件下,可得到电子浓度为5×1019 cm-3;而采用自掺C(通过不断改变五族元素与三族元素之比)可得到P型载流子浓度为1017～1021 cm-3的GaAs隧道结.说明该生长方法可获得电池隧道结中高掺杂水平的PN结,并且能够达到抑制掺杂杂质互扩散现象的设计要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晋国	长安大学理学院	42	223	7.0	14.0
2	魏俊波	长安大学理学院	23	94	5.0	8.0
3	李晓婷	长安大学理学院	10	30	4.0	5.0