GaAsFET 4GHz电调振荡器的设计与制作

• 作者: 李苏萍
• 来源期刊: 南京林业大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: FET场效应管 变容管 振荡器
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 107-109
• 页数: 3页
• 分类号: TN12
• 字数: 1876字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2006.2005.01.026

摘要

比较了共源、共栅、共漏3种电路,并组合场效应管外延,设计出采用反沟道接法的共漏电路.分析了FET场效应管的特征频率、最大输出功率、单向功率增益和最大振荡频率等主要特性参数.通过制作和调试,完成的GaAsFET振荡器达到频带输出功率＞100mW,频率4～4.3 GHz的设计性能要求.所设计的电调振荡器误差小,性能稳定,具有良好的实际应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李苏萍	中国电子科技集团总公司第五十五研究所	2	0	0.0	0.0