具有温度和工艺补偿的1 GHz 时钟振荡器的设计

• 作者: 唐宁 李维
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 工艺补偿 温度补偿 环形振荡器
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 页码范围: 165-168
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

为了克服时钟振荡器对温度和工艺的敏感性，基于 SMIC 0．18μm 标准 CMOS 工艺，设计并实现了具有工艺参数漂移和温度系数漂移补偿特性的1 GHz 时钟振荡器电路．采用了温度系数和阈值电压感应模块，使得振荡频率在工艺和温度变化时仍具有较高的稳定性，同时加入整形电路，形成轨对轨的方波时钟信号．经仿真表明，在电源电压1．8V 下，不同工艺角ff，ss，tt，频率的最大偏移为1．43％．工作温度变化范围－40～125℃时，频率的最大偏移为0．87％，达到频率稳定度的要求．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐宁	桂林电子科技大学信息与通信学院	65	243	8.0	12.0
2	李维	桂林电子科技大学信息与通信学院	4	34	2.0	4.0