原文服务方: 现代电子技术       
摘要:
提出了基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺带温度补偿高精度振荡器的设计方案。针对射频电子标签应用的设计要求,选用改进型的双电容张弛振荡器结构。通过温度补偿作用,参考电压与输出电流受电源影响较小,保证了振荡器输出频率的稳定性。使用SPECTRE工具对电路进行仿真,在1.8 V电源电压下,-25~100℃范围内,中心频率为1.92 MHz时最大偏差小于±0.75%,达到使用的要求,并在此基础上完成电路的版图。
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文献信息
篇名 一种用于RFID标签带温度补偿的振荡器设计
来源期刊 现代电子技术 学科
关键词 双电容振荡器 带隙基准 电压比较器 温度补偿
年,卷(期) 2014,(7) 所属期刊栏目 电子技术应用
研究方向 页码范围 133-135,138
页数 4页 分类号 TN710-34
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陆安江 贵州大学贵州省微纳电子与软件重点实验室 61 169 8.0 10.0
2 杨发顺 贵州大学贵州省微纳电子与软件重点实验室 54 125 5.0 8.0
3 雷涛 贵州大学贵州省微纳电子与软件重点实验室 7 16 3.0 4.0
4 施乐 贵州大学贵州省微纳电子与软件重点实验室 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
双电容振荡器
带隙基准
电压比较器
温度补偿
研究起点
研究来源
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相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
半月刊
1004-373X
61-1224/TN
大16开
1977-01-01
chi
出版文献量(篇)
23937
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