一种低温度灵敏度片上张弛振荡器

• 作者: 严睿捷 曹谊 洪志良
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 片上张弛振荡器 带隙基准 电压、工艺以及温度变化 物联网
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 页码范围: 28-32
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

本文介绍了一种用CMOS工艺实现的对温度和电源电压变化不敏感的片上张弛振荡器.文中提出了一种降低张弛振荡器频率波动的补偿技术,该技术克服了传统补偿方法受到片上电阻温度特性制约的缺点,极大地提高了振荡器输出频率的稳定性.测试结果表明,当电源电压从1.62V变化到1.98V时,振荡器输出频率变化±0.11％;当温度从40℃变化到125℃时,输出频率变化土0.24％.相比于传统方法,频率波动降低了大约2/3.该振荡器采用TSMC 180 nm 1P5M工艺实现,电源电压为1.8V.当工作在25 MHz时,功耗为50 μW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪志良	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	161	1248	18.0	29.0
2	曹谊	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
3	严睿捷	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	1	1.0	1.0