纳米氮化硅陶瓷的氧化动力学研究

• 作者: 李道火 陈磊 黄永攀
• 来源期刊: 佛山陶瓷
• 关键词: 氮化硅 动力学 氧化
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 9-13
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-8236.2005.07.003

摘要

本文采用氧化后再氧化的实验方法,通过对纳米Si3N4陶瓷试样氧化行为的研究和氧化动力学的分析,讨论了纳米Si3N4陶瓷的氧化机理.结果表明,Si3N4陶瓷的氧化行为表现为氧化增量随时间的变化服从抛物线规律:(△W)2=Kpt.提出了氧在氧化层中的向内扩散是Si3N4氧化过程中的控制步骤;得出烧结添加剂或杂质对Si3N4陶瓷氧化速度的影响,是由于改变了氧化层的组成、结构,使氧在氧化层中的扩散速度发生了变化的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈磊	中国科学院安徽光学精密机械研究所	65	345	10.0	15.0
2	黄永攀	中国科学院安徽光学精密机械研究所	14	82	6.0	8.0
3	李道火	中国科学院安徽光学精密机械研究所	25	254	10.0	15.0