电致发热SiC多孔陶瓷制备研究

• 作者: 任建勋 张军锋 樊子民 王晓刚 田欣伟
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 电致发热 碳化硅 多孔陶瓷 电阻率
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究工作快报
• 页码范围: 112-115
• 页数: 4页
• 分类号: TQ17
• 字数: 2472字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2005.06.031

摘要

采用一种新方法制备了具有2种孔隙结构的电致发热SiC多孔陶瓷.根据SEM,X射线分析,气孔率与电阻率等测试结果可知,试样主孔道直径在300μn左右,微孔道直径在30～40μm,气孔率可达55%,电阻率在0.0007～0.00195Ω·m.研究了烧结温度和烧结时间与电阻率的关系,并根据机械性能的测试结果,探讨了试样的强度与烧结温度的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	樊子民	西安科技大学材料科学与工程学院	34	173	9.0	12.0
2	王晓刚	西安科技大学材料科学与工程学院	139	838	15.0	23.0
3	田欣伟	西安科技大学材料科学与工程学院	13	83	5.0	8.0
4	张军锋	西安科技大学材料科学与工程学院	8	11	1.0	3.0
5	任建勋	西安科技大学材料科学与工程学院	13	114	5.0	10.0