电致发热SiC多孔陶瓷制备工艺与性能研究

• 作者: 樊子民 王晓刚
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 关键词: 电致发热 碳化硅 多孔陶瓷 电阻率 气孔率
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究工作快报
• 页码范围: 106-109
• 页数: 4页
• 字数: 2673字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2004.06.029

摘要

利用颗粒堆积法成功制备了电致发热多孔SiC陶瓷,通过改变配方中主要原料和辅助原料的颗粒级配,制得了气孔率达40%、电阻率在2～4Ω·m范围的多孔陶瓷制品,并根据SEM,XRD分析和气孔率与电阻率等测试结果,研究了碳化硅和成孔剂颗粒级配与制品性能的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	樊子民	西安科技大学材料工程系	34	173	9.0	12.0
2	王晓刚	西安科技大学材料工程系	139	838	15.0	23.0