Y2O3掺杂对低压氧化锌压敏电阻材料结构和电学性能的影响

• 作者: 张南法 王茂华 胡克鳌 赵斌元
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低压氧化锌压敏电阻 Y2O3 电性能 显微结构
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 789-791
• 页数: 3页
• 分类号: TM283
• 字数: 2432字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2005.06.001

摘要

通过掺杂研究了微量Y2O3对低压氧化锌压敏电阻的电性能影响,并采用SEM测试手段对其微观组织结构进行了分析研究,从理论上探讨了Y2O3影响低压氧化锌压敏电阻电性能与组织的机理.研究结果表明,在0～0.07%(摩尔分数)掺杂范围内,随着Y2O3含量的增加,低压氧化锌压敏电阻的电场强度明显提高;当Y2O3含量超过0.07%时,电场强度又呈下降趋势.低压氧化锌压敏电阻掺杂Y2O3后,非线性指数α增大,漏电流IL减小,但当掺杂量在0.06%～0.09%(摩尔分数)的范围内,漏电流IL和非线性指数α的变化不大.其原因是Y2O3加入到氧化锌压敏电阻中,Y主要以固溶的形态分布于ZnO晶内和晶界处,使ZnO晶体的自由电子浓度增大,进而使填隙锌离子Zni的总浓度下降,引起填隙锌离子的传质能力下降,抑制了ZnO晶粒的生长,因而晶粒尺寸随Y2O3掺杂量的增加而减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王茂华	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	4	52	3.0	4.0
2	胡克鳌	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	55	1016	18.0	30.0
3	张南法		11	73	5.0	8.0
4	赵斌元	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	29	578	15.0	24.0