硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展

• 作者: 张新 王彩琳 高勇
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 硅直接键合 电力电子器件 集成门极换流晶闸管 集成门极双晶体管 MOS控制可关断晶闸管
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 页码范围: 945-948,957
• 页数: 5页
• 分类号: TN34|TN342.4
• 字数: 3267字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.04.065

摘要

综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路.在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管(IGCT)和集成门极双晶体管(IGDT)的设想,并给出了相应的工艺方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0
2	王彩琳	西安理工大学电子工程系	43	203	8.0	12.0
3	张新	西安理工大学电子工程系	11	49	4.0	6.0