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摘要:
为了更好地解决用旋光晶体制作电光Q开关中的问题,需要从理论上对光的传播方程进行研究.通过对硅酸镓镧旋光晶体中电光效应和旋光效应对光的偏振态影响的研究,推导出了处于外加电场中的旋光晶体中光的传播方程的表达式,以及透过光强的表达式,并利用几种简单的光学器件在实验上得到了很好的验证.利用光的传播方程和实验的结果,推算出硅酸镓镧晶体电光系数γ11=2.1×10-12m/V,与以前测量的结果吻合得很好;找到了利用旋光晶体制作电光开关应该满足的条件,给出了一种制作方法,在实验上得到了很好的实现,从而证实了旋光晶体作为电光开关材料的可行性.
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文献信息
篇名 加电旋光晶体La3 Ga5 SiO14中光的传播方程的研究
来源期刊 中国激光 学科 工学
关键词 激光物理 电光Q开关 旋光晶体 硅酸镓镧晶体
年,卷(期) 2005,(11) 所属期刊栏目 材料
研究方向 页码范围 1539-1542
页数 4页 分类号 TN243
字数 3142字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0258-7025.2005.11.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李世忱 天津大学精密仪器学院 85 733 15.0 21.0
2 张少军 山东大学晶体材料研究所国家重点实验室 25 179 8.0 12.0
6 田召兵 山东大学晶体材料研究所国家重点实验室 3 8 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
激光物理
电光Q开关
旋光晶体
硅酸镓镧晶体
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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中国激光
月刊
0258-7025
31-1339/TN
大16开
上海市嘉定区清河路390号 上海800-211邮政信箱
4-201
1974
chi
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