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摘要:
采用基于密度泛函的第一性原理平面波赝势法对La3Ga5SiO14晶体基态的几何参量、能带结构、态密度和光学性质进行了系统的研究.优化了La3Ga5SiO14晶体中原子的内部坐标,利用精确计算的能带结构、态密度和电荷密度等值线分析了晶体的吸收谱、介电函数、折射率,计算结果与实验符合较好,为La3Ga5SiO14晶体材料的分子设计与应用提供了理论依据.
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文献信息
篇名 La3Ga5SiO14晶体电子结构及光学性质的第一性原理研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 La3Ga5SiO14 能带结构 光学性质 第一性原理
年,卷(期) 2008,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 229-235,187
页数 8页 分类号 O76
字数 3030字 语种 中文
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La3Ga5SiO14
能带结构
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期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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