纯氧高气压溅射PZT铁电薄膜

• 作者: 刘梅冬 姜胜林 曾亦可 邓传益 陈实
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锆钛酸铅 铁电薄膜 溅射 电滞回线 电流-电压特性
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 358-361
• 页数: 4页
• 分类号: O484|TN304.055
• 字数: 2768字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2005.03.020

摘要

用Pb(Zr0.55Ti0.45)O3烧结陶瓷作为靶材,在纯氧、高气压溅射条件下成功地原位沉积了锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)铁电薄膜.为了弥补靶材在烧结过程中Pb的挥发及溅射成膜过程中发生Pb的损失,以PbO计,加入了质量分数为5.0%的过量Pb3O4.实验发现:当最佳靶-基片距离-定时,n(Pb)/n(Zr+Ti)成份偏析的比例随最佳靶-基片距离偏差的增加而降低.PZT铁电薄膜的X射线衍射分析表明,PZT铁电薄膜中存在PbO和钛锆固溶型氧化物,但无焦绿石相.PZT铁电薄膜的铁电性测量表明:剩余极化Pr达到14.1μc/cm2,矫顽电场Ec较小,Ec与Pb(Zr0.55Ti0.45)O3烧结陶瓷靶材的值相当,其电滞回线具有很好的对称性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾亦可	华中科技大学电子科学与技术系	65	723	15.0	25.0
2	刘梅冬	华中科技大学电子科学与技术系	41	707	16.0	25.0
3	姜胜林	华中科技大学电子科学与技术系	101	727	15.0	21.0
4	陈实	华中科技大学电子科学与技术系	65	372	11.0	16.0
5	邓传益	华中科技大学电子科学与技术系	14	94	4.0	9.0