溅射工艺参数对PZT铁电薄膜相变过程的影响

• 作者: 丁爱丽 仇萍荪 何夕云 曾晟 罗维根
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 铁电薄膜 烧绿石相 钙钛矿相
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 107-113
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.1999.01.018

摘要

采用射频磁控溅射工艺,在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上用PZT(53/47)陶瓷靶制备铁电薄膜.用快速光热退火炉对原位沉积的薄膜进行RTA处理.薄膜的相结构由XRD确定.通过改变氩气和氧气的比例以及衬底温度,研究了溅射气氛和衬底温度对PZT铁电薄膜结构的影响.实验表明,在不同的溅射气氛和衬底温度条件下,薄膜会经历不同的相变过程.用RT66A标准铁电测试设备测量了薄膜的铁电性能,在外加电压为5V时,Pr=14.6uC/cm2,Ec=82.9kV/cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁爱丽	中国科学院上海硅酸盐研究所	16	136	6.0	11.0
2	何夕云	中国科学院上海硅酸盐研究所	7	39	4.0	6.0
3	仇萍荪	中国科学院上海硅酸盐研究所	7	42	4.0	6.0
4	罗维根	中国科学院上海硅酸盐研究所	8	81	4.0	8.0
5	曾晟	中国科学院上海硅酸盐研究所	1	14	1.0	1.0