射频磁控溅射制备PZT铁电薄膜的工艺研究

• 作者: 刘志刚 张之圣 樊攀峰 毕振兴 胡明
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: PZT 直流对靶溅射 射频磁控溅射 锆钛酸铅薄膜 钙钛矿相 电滞回线
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 6-9
• 页数: 4页
• 分类号: TQ32
• 字数: 2880字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2005.04.002

摘要

在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜.将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃.测试分析表明:薄膜厚度比较均匀、表面基本平整、没有裂纹和孔洞、致密性好、薄膜样品的矫顽场强(Ec)为28.6kV/cm,剩余极化强度(Pr)为18.7μC/cm2,自发极化强度(Ps)为37.5μC/cm2,是制备铁电薄膜存储器的优选材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡明	天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系	139	1336	19.0	28.0
2	刘志刚	天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系	38	320	9.0	16.0
3	张之圣	天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系	57	580	15.0	21.0
4	樊攀峰	天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系	5	68	4.0	5.0
5	毕振兴	天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系	2	8	2.0	2.0