热蒸发铜粉法制备硅纳米线的研究

• 作者: 严文 于灵敏 刘建刚 范新会 陈建
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热蒸发 硅纳米线 气-液-固机制 氧化辅助生长机制
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 589-592
• 页数: 4页
• 分类号: TB383
• 字数: 2829字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2005.04.030

摘要

研究发现,热蒸发铜粉即可在硅衬底上直接生长出硅纳米线.场发射电子扫描电镜和透射电镜分析表明,纳米线的形貌、结构及生长机制,随沉积区域的不同而变化.在高温沉积区,硅纳米线高度弯曲且相互缠绕,按气-液-固机制生长;在低温沉积区,高度定向生长的直硅纳米线,规整地排列在硅衬底表面,其生长机制是氧化辅助生长机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范新会	西安工业学院材料与化工学院	112	677	14.0	18.0
2	于灵敏	西安工业学院材料与化工学院	44	236	9.0	12.0
3	严文	西安工业学院材料与化工学院	129	1083	17.0	23.0
4	陈建	西安工业学院材料与化工学院	70	347	11.0	14.0
5	刘建刚	西安工业学院材料与化工学院	7	86	5.0	7.0