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摘要:
光电倍增管的中子直照响应对脉冲中子探测器的设计和实际应用具有重要影响.分析了中子束直接照射光电倍增管产生直照响应的过程和机理.中子与光电倍增管入射窗硼硅玻璃中的硼和硅发生(n,α)和(n,p)反应,导致窗玻璃产生荧光,从而使光阴极发射光电子.在5SDH-2小串列加速器上,选用9815B和9850B两种光电倍增管进行实验,得到了光电倍增管的中子直照灵敏度能谱响应曲线.结果表明:中子能量由低到高变化时,光电倍增管的中子直照灵敏度也随之增大;两种光电倍增管的中子直照灵敏度比值为1.9×102~2.74×102,该值与其相应的增益比量级一致.
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文献信息
篇名 光电倍增管中子直照灵敏度响应
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 灵敏度 能谱响应 光电倍增管 脉冲中子测量
年,卷(期) 2005,(9) 所属期刊栏目 粒子束及加速器技术
研究方向 页码范围 1427-1430
页数 4页 分类号 O571.53|TN152
字数 2082字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张建福 18 38 3.0 5.0
2 张国光 16 99 4.0 9.0
3 张小东 12 43 4.0 6.0
4 欧阳晓平 99 283 9.0 11.0
5 张忠兵 47 186 8.0 11.0
6 张显鹏 34 83 4.0 7.0
7 马彦良 13 61 5.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
灵敏度
能谱响应
光电倍增管
脉冲中子测量
研究起点
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引文网络交叉学科
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强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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