光电倍增管对14 MeV脉冲中子的直照响应

• 作者: 张国光 张建福 张忠兵 张显鹏 欧阳晓平 陈亮
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 光电倍增管 直照响应 灵敏度 脉冲中子
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 脉冲功率技术
• 页码范围: 335-338
• 页数: 4页
• 分类号: O571.53|TN152
• 字数: 2595字
• 语种: 中文

摘要

采用ING-103型DPF脉冲中子源产生的14.1 MeV脉冲中子对EMI两个不同型号的光电倍增管EMI-9815B和EMI-9850B进行了直照实验.针对DPF脉冲中子源产生中子脉冲的同时也会产生X射线脉冲的特点,采取了飞行时间法及吸收衰减法来消除X射线对中子脉冲的干扰.利用中子及X射线速度的差异,将光电倍增管放置在离源较远的测点位置,测得了X射线脉冲和中子脉冲时间上错开的双峰波形.通过在辐射通道内添加5 cm厚的铅吸收体有效地抑制了X射线峰,在离源较近的测量位置测到了干净的脉冲中子波形.根据实测波形,得到的光电倍增管EMI-9815B和EMI-9850B中子直照灵敏度分别为10-13与10-15量级,该结果与理论计算结果在量级上一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建福		18	38	3.0	5.0
2	张国光		16	99	4.0	9.0
3	陈亮		29	40	3.0	4.0
4	欧阳晓平		99	283	9.0	11.0
5	张忠兵		47	186	8.0	11.0
6	张显鹏		34	83	4.0	7.0