有缺陷和无缺陷量子点内应变分布的比较与分析

• 作者: 俞重远 刘玉敏 杨红波 黄永箴
• 来源期刊: 高技术通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 应变 缺陷
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 新材料技术
• 页码范围: 46-49
• 页数: 4页
• 分类号: TB3
• 字数: 2512字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2005.06.011

摘要

阐述了量子点内能级结构与应变的关系,用ANSYS7.1计算了有缺陷和无缺陷两种情况下InAs/GaAs量子点的应变分布,通过对计算结果的比较,讨论了两种情况下不同的应变分布对量子点电子结构影响的不同结果,指出有缺陷时量子点各能级的改变量都与无缺陷时不同,无缺陷时应变的作用只是使能级平行移动;有缺陷时,缺陷将使量子点内能级结构复杂化,有缺陷时发光波长和发光光谱都比无缺陷时复杂.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永箴	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	47	229	9.0	12.0
2	刘玉敏	北京邮电大学理学院	36	223	10.0	13.0
4	俞重远	北京邮电大学理学院	49	260	10.0	12.0
6	杨红波	北京邮电大学理学院	15	106	7.0	10.0