C2分子在有缺陷和无缺陷两种不同金刚石表面吸附的计算机模拟比较

• 作者: 开花 李之杰 李双 李运超 郭德成
• 来源期刊: 内蒙古民族大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 缺陷衬底 分子动力学模拟 吸附
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 255-259
• 页数: 5页
• 分类号: O411.3
• 字数: 3135字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-0185.2008.03.005

摘要

本文用分子动力学方法在原子层次模拟研究了(不同入射能量的)C2分子在金刚石(001)-(2×1)表面的吸附过程,重点讨论了无缺陷衬底和缺陷衬底上多个对应位置对C2分子的吸附过程,并作出比较,结果表明,有缺陷底靶对C2分子的吸附效果要好于无缺陷底靶对C2分子的吸附效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	开花	内蒙古民族大学物理与电子信息学院	4	6	2.0	2.0
2	李运超	内蒙古民族大学物理与电子信息学院	4	6	2.0	2.0
3	郭德成	内蒙古民族大学物理与电子信息学院	7	13	2.0	3.0
4	李双	内蒙古民族大学物理与电子信息学院	9	20	3.0	3.0
5	李之杰	内蒙古民族大学物理与电子信息学院	24	42	3.0	5.0