SiC晶体PVT生长系统的流体力学模型及其有限元分析

• 作者: 封先锋 巩泽龙 张群社 李留臣 蒲红斌 陈治明
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC晶体 PVT法 流体力学模型 温度场
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 828-832
• 页数: 5页
• 分类号: O782
• 字数: 2858字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.013

摘要

本文根据SiC晶体PVT生长炉的实际提出了生长系统温度场计算的流体力学模型,采用有限元法分析了生长腔内的热传导、辐射和对流对生长腔内和生长晶体中温度空间分布的影响.通过对生长腔内及生长晶体中温度瞬态和稳态分布的分析,得出在加热的初始阶段腔内气体对流对坩埚内的温度分布有较大影响,在系统热平衡后辐射对腔内温度分布起决定作用的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学自动化与信息工程学院	83	498	11.0	18.0
2	李留臣	西安理工大学自动化与信息工程学院	25	153	8.0	11.0
3	蒲红斌	西安理工大学自动化与信息工程学院	33	119	7.0	9.0
4	封先锋	西安理工大学自动化与信息工程学院	22	106	7.0	9.0
5	张群社	西安理工大学自动化与信息工程学院	9	71	5.0	8.0
6	巩泽龙	西安理工大学自动化与信息工程学院	1	19	1.0	1.0