硅晶体缺陷发光及应用

• 作者: 杨德仁 袁志钟
• 来源期刊: 材料导报
• 关键词: 硅 光致发光 电致发光 位错 氧沉淀
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 本期专题:光电材料与器件
• 页码范围: 82-85
• 页数: 4页
• 字数: 3659字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2005.01.024

摘要

信息技术的发展要求在集成电路内部用光子代替电子来传导信息,这就使得硅基光源成为技术发展的方向和光电子集成的关键,是当前急需解决的科学挑战之一.硅晶体缺陷发光是十分重要的硅基发光现象,已引起广泛的关注.在硅基位错发光原理的基础上,综述了硅晶体中缺陷的光致发光和电致发光的研究进展,以及硅晶体缺陷在发光器件方面的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	袁志钟	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	9	2.0	2.0