多晶硅太阳电池转换效率和晶体缺陷相关性

• 作者: 冯志强 张映斌 杨平雄 熊震 褚君浩 陈奕峰
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多晶硅 缺陷 少子寿命 电池转换效率
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 551-556,563
• 页数: 7页
• 分类号: O77
• 字数: 2703字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2015.05.007

摘要

多晶硅太阳能电池组件以它显著的综合成本优势被广泛应用.铸锭多晶硅的晶体缺陷特征与其电池转换效率有着强烈的关联性.晶体的底部和顶部缺陷密度高,对应的电池转换效率低(14.5 ～15.5％);晶体中部因为较低的缺陷密度,对应着较高的电池转换效率(16.5～17.5％).不同种类的晶体缺陷对电池效率的影响又不尽相同,比如位错等顽固性缺陷会保留至终,而间隙态金属杂质等可去除的缺陷则会在电池制备过程中得以消除.