二次硼离子热扩散制作微电阻

• 作者: 侯西云 沈亦兵 黄腾超
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 硼扩散 硅微晶玻璃 微电阻 结深 方块电阻
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 无线电电子学、电信技术
• 页码范围: 471-474
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.4
• 字数: 1993字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2005.04.003

摘要

为了在微机电系统(microelectromechanical systems,MEMS)器件中进行热驱动,提出了设计微电阻作为热源的方法.电阻是通过微晶硼硅玻璃在硅基底上进行二次热扩散的方法制备的,利用硼离子扩散制作的电阻可以提高热源加热效率.通过数值计算,建立了制备过程中硅基底中的硼离子的空间浓度分布的理论模型,优化了二次硼扩散工艺条件.盘旋形的电阻形状设计提供了良好的温度控制和热量利用率,加热温度可以从室温一直加热至200℃.测量得到了电阻的有效结深及方块电阻,实验结果表明,电阻内部扩散区域的结深非常浅,硼离子掺杂浓度非常高,与理论模拟基本吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯西云	浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室	26	426	11.0	20.0
2	黄腾超	浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室	16	91	7.0	9.0
3	沈亦兵	浙江大学现代光学与仪器国家重点实验室	40	431	10.0	19.0