非晶Si-B-C-N陶瓷的电学特性研究

• 作者: 安立楠 张立功 徐世峰 王岩松 王文全 苗元华 范翊
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 热裂解 非晶陶瓷 直流电导率 退火
• 年，卷（期）: 2005,（z2）
• 页码范围: 948-951
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.8
• 字数: 2538字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2005.z2.092

摘要

采用高温热裂解法制备出Si-B-C-N陶瓷样品,在1100℃和1400℃退火5h后XRD结果显示两个样品均保持非晶状态.采用电流-电压直流测试方法,确定了样品在室温至1100℃温度范围内的直流电导率,材料的电导率在整个温度范围内均随着温度的升高而增大,呈现出非晶半导体的特性.退火温度升高导致电导率显著增大,这与高温退火过程中H的失去有关.